창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N6014C | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 39V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 130옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 30V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N6014C | |
관련 링크 | 1N60, 1N6014C 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 678D107M063DG3O | 100µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can 450 mOhm @ 20Hz | 678D107M063DG3O.pdf | |
![]() | 403C35D16M38400 | 16.384MHz ±30ppm 수정 18pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 403C35D16M38400.pdf | |
![]() | CE3292-12.288 | 12.288MHz HCMOS, TTL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 5V 60mA Enable/Disable | CE3292-12.288.pdf | |
![]() | HY57V641620HGT-H. | HY57V641620HGT-H. HY SMD or Through Hole | HY57V641620HGT-H..pdf | |
![]() | J027 | J027 LT QFN | J027.pdf | |
![]() | GS1A W TR | GS1A W TR PANJIT 1808 | GS1A W TR.pdf | |
![]() | S-80820ALY | S-80820ALY SEIKO TO-92 | S-80820ALY.pdf | |
![]() | JQX-115F-024-2ZS4(551) | JQX-115F-024-2ZS4(551) HF SMD or Through Hole | JQX-115F-024-2ZS4(551).pdf | |
![]() | SUP85N02-04P | SUP85N02-04P VISHAY SMD or Through Hole | SUP85N02-04P.pdf | |
![]() | RVC-25V331MH10-R | RVC-25V331MH10-R ELNA SMD | RVC-25V331MH10-R.pdf | |
![]() | 93446-DC | 93446-DC F DIP | 93446-DC.pdf |