창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N6011A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 30V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 95옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 18V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N6011A | |
관련 링크 | 1N60, 1N6011A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 6.3YXF330MEFCT16.3X11 | 330µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 4000 Hrs @ 105°C | 6.3YXF330MEFCT16.3X11.pdf | |
![]() | APTDF100H20G | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | APTDF100H20G.pdf | |
1N4973US | DIODE ZENER 43V 5W D5B | 1N4973US.pdf | ||
![]() | ERA-1AEB6491C | RES SMD 6.49KOHM 0.1% 1/20W 0201 | ERA-1AEB6491C.pdf | |
![]() | 752083332GPTR7 | RES ARRAY 4 RES 3.3K OHM 8SRT | 752083332GPTR7.pdf | |
![]() | HSCDRRN001PDSA5 | Pressure Sensor ±1 PSI (±6.89 kPa) Differential Male - 0.08" (1.93mm) Tube, Dual 12 b 8-DIP (0.524", 13.30mm), Dual Ports, Same Side | HSCDRRN001PDSA5.pdf | |
![]() | HN4D02JU/A2 | HN4D02JU/A2 TOSHIBA SOT353 | HN4D02JU/A2.pdf | |
![]() | MC75VHC1GT86DFT1 | MC75VHC1GT86DFT1 ON SMD or Through Hole | MC75VHC1GT86DFT1.pdf | |
![]() | UPC0161A | UPC0161A NEC SOP8 | UPC0161A.pdf | |
![]() | DAC9337C-5 | DAC9337C-5 DATEL DIP | DAC9337C-5.pdf | |
![]() | FW82801BA SK5WK | FW82801BA SK5WK INTEL BGA | FW82801BA SK5WK.pdf | |
![]() | RT1N237C-T112-1/DTC123JKA | RT1N237C-T112-1/DTC123JKA ISAHAYA SOT-23 | RT1N237C-T112-1/DTC123JKA.pdf |