창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N6010A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 27V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 88옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 17V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N6010A | |
관련 링크 | 1N60, 1N6010A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 7A25000018 | 25MHz ±15ppm 수정 10pF -20°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7A25000018.pdf | |
![]() | EP1S80F1508C7N | EP1S80F1508C7N ALTERA SMD or Through Hole | EP1S80F1508C7N.pdf | |
![]() | TPSMC7.5CA-E3/57T | TPSMC7.5CA-E3/57T VISHAY DO-214AB(SMC) | TPSMC7.5CA-E3/57T.pdf | |
![]() | RC0201JR-07200R | RC0201JR-07200R YAGEO 0201-200R | RC0201JR-07200R.pdf | |
![]() | WP91819L3 | WP91819L3 NS SOIC-8 | WP91819L3.pdf | |
![]() | 38L6JSBR-1HAG | 38L6JSBR-1HAG ORIGINAL Tray | 38L6JSBR-1HAG.pdf | |
![]() | SI9933BDY-T1 | SI9933BDY-T1 VISHAY SOP8 | SI9933BDY-T1.pdf | |
![]() | ICM41000A-08 | ICM41000A-08 ICM DIP | ICM41000A-08.pdf | |
![]() | ZTT2.0M ZTT | ZTT2.0M ZTT ORIGINAL SMD or Through Hole | ZTT2.0M ZTT.pdf | |
![]() | JA3515-05-A04 | JA3515-05-A04 JAALLAA QFP | JA3515-05-A04.pdf | |
![]() | LQN1A84NJ | LQN1A84NJ muRata ChipCoil | LQN1A84NJ.pdf |