창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6006A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 18V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 55옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 11V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6006A | |
| 관련 링크 | 1N60, 1N6006A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | TS080F33IET | 8MHz ±30ppm 수정 20pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS080F33IET.pdf | |
![]() | 416F38022CLT | 38MHz ±20ppm 수정 12pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38022CLT.pdf | |
![]() | PX2AG1XX046BSCHX | Pressure Sensor 667.17 PSI (4600 kPa) Sealed Gauge Male - 1/4" (6.35mm) BSPP 4 mA ~ 20 mA Cylinder | PX2AG1XX046BSCHX.pdf | |
![]() | BL0933 | BL0933 BL DIP20 | BL0933.pdf | |
![]() | PCK2002MDL | PCK2002MDL NXP SSOP28 | PCK2002MDL.pdf | |
![]() | IMT200-48-10 | IMT200-48-10 BTC SMD or Through Hole | IMT200-48-10.pdf | |
![]() | 49198002011853 | 49198002011853 KYOCERA SMD or Through Hole | 49198002011853.pdf | |
![]() | PDTA123TE | PDTA123TE PHILIPS SOT416 | PDTA123TE.pdf | |
![]() | RT8009-ADJ | RT8009-ADJ ORIGINAL SOT23 | RT8009-ADJ.pdf | |
![]() | AD8039ARU | AD8039ARU AD TSSOP | AD8039ARU.pdf | |
![]() | SI7192BDP-T1-E3 | SI7192BDP-T1-E3 VISHAY QFN8 | SI7192BDP-T1-E3.pdf | |
![]() | DTC143 EK | DTC143 EK ROHM SOT-23 | DTC143 EK.pdf |