창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6005C | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 16V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 36옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 12V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6005C | |
| 관련 링크 | 1N60, 1N6005C 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | HC-49/U-S25000000BBEB | 25MHz ±50ppm 수정 12pF 50옴 -10°C ~ 60°C 스루홀 HC49/US | HC-49/U-S25000000BBEB.pdf | |
![]() | 416F38412ALT | 38.4MHz ±10ppm 수정 12pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38412ALT.pdf | |
![]() | 216MFA4ALA12PG | 216MFA4ALA12PG ORIGINAL BGA | 216MFA4ALA12PG.pdf | |
![]() | MSP430F1471IPMR | MSP430F1471IPMR TI QFN64 | MSP430F1471IPMR.pdf | |
![]() | ATT3221IGV-3.3-TI | ATT3221IGV-3.3-TI AAT SOT23 | ATT3221IGV-3.3-TI.pdf | |
![]() | M372F3280CT1-C50 | M372F3280CT1-C50 Samsung Tray | M372F3280CT1-C50.pdf | |
![]() | 4512BDM | 4512BDM NationalSemiconductor SMD or Through Hole | 4512BDM.pdf | |
![]() | C.M.CHOKE6560300.OHM/500mA | C.M.CHOKE6560300.OHM/500mA NA SMD | C.M.CHOKE6560300.OHM/500mA.pdf | |
![]() | XAD266NF | XAD266NF TDK SMD or Through Hole | XAD266NF.pdf | |
![]() | LM7805K/883 | LM7805K/883 NS TO-3 | LM7805K/883.pdf | |
![]() | HA1F-100VAC/AC100V | HA1F-100VAC/AC100V ORIGINAL SMD or Through Hole | HA1F-100VAC/AC100V.pdf | |
![]() | TW2823-PA1-GE | TW2823-PA1-GE Intersil SMD or Through Hole | TW2823-PA1-GE.pdf |