창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6002D | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 12V | |
| 허용 오차 | ±1% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 22옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 9.1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6002D | |
| 관련 링크 | 1N60, 1N6002D 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | CRCW121026R7FKEAHP | RES SMD 26.7 OHM 1% 3/4W 1210 | CRCW121026R7FKEAHP.pdf | |
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![]() | XC6383A451P | XC6383A451P SOT9 SMD or Through Hole | XC6383A451P.pdf | |
![]() | 2B9237A | 2B9237A TI PGA | 2B9237A.pdf | |
![]() | HC1-6508/883 | HC1-6508/883 ORIGINAL DIP | HC1-6508/883.pdf | |
![]() | X22C10DI | X22C10DI ORIGINAL DIP-18 | X22C10DI.pdf | |
![]() | MB81V17800A-70 | MB81V17800A-70 FUJITSU SMD or Through Hole | MB81V17800A-70.pdf | |
![]() | KTK5131E-RTK/P | KTK5131E-RTK/P KEC- ESM | KTK5131E-RTK/P.pdf | |
![]() | HD6433048FA15 | HD6433048FA15 ORIGINAL QFP | HD6433048FA15.pdf | |
![]() | MAX6018AEUR18 | MAX6018AEUR18 MAXIM SOT-23 | MAX6018AEUR18.pdf |