창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5996D | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
| 허용 오차 | ±1% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 8옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 5.2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5996D | |
| 관련 링크 | 1N59, 1N5996D 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | C0805C361J1GACTU | 360pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C361J1GACTU.pdf | |
![]() | 416F370X3ATT | 37MHz ±15ppm 수정 6pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F370X3ATT.pdf | |
![]() | 93C46-10PU27 | 93C46-10PU27 ATMEL DIP | 93C46-10PU27.pdf | |
![]() | PTF081501E/1 | PTF081501E/1 INFINEON SMD or Through Hole | PTF081501E/1.pdf | |
![]() | ULQ2023BRU | ULQ2023BRU ORIGINAL DIP | ULQ2023BRU.pdf | |
![]() | M55342K12B8E25RS2 | M55342K12B8E25RS2 VISHAY SMD or Through Hole | M55342K12B8E25RS2.pdf | |
![]() | 216U1SCSA32H IGP320M | 216U1SCSA32H IGP320M ATI SMD or Through Hole | 216U1SCSA32H IGP320M.pdf | |
![]() | AT49LV16170TI | AT49LV16170TI ATMEL TSSOP48 | AT49LV16170TI.pdf | |
![]() | DS75451 | DS75451 NS DIP | DS75451.pdf | |
![]() | LL1C336M05011PA180 | LL1C336M05011PA180 ORIGINAL SMD or Through Hole | LL1C336M05011PA180.pdf | |
![]() | ES1JB | ES1JB LITEON DO-214AASMB | ES1JB.pdf | |
![]() | PT6398-LQ | PT6398-LQ PTC SMD or Through Hole | PT6398-LQ.pdf |