창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5987B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 95옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 50µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 1N5987BMS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5987B | |
관련 링크 | 1N59, 1N5987B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
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![]() | 5022-432J | 4.3µH Unshielded Inductor 390mA 2.4 Ohm Max Nonstandard | 5022-432J.pdf | |
![]() | RNF14BAE6K90 | RES 6.9K OHM 1/4W .1% AXIAL | RNF14BAE6K90.pdf | |
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![]() | VB118772 | VB118772 INFINEON SOP | VB118772.pdf | |
![]() | KR52S025M | KR52S025M KEC SMD or Through Hole | KR52S025M.pdf | |
![]() | D67100R21. | D67100R21. NEC SMD or Through Hole | D67100R21..pdf | |
![]() | X-TAL 11.2896MHz (SMD) | X-TAL 11.2896MHz (SMD) DAEWON SMD or Through Hole | X-TAL 11.2896MHz (SMD).pdf | |
![]() | LTC2754ACUKG-16#PBF | LTC2754ACUKG-16#PBF LINEAR QFN | LTC2754ACUKG-16#PBF.pdf | |
![]() | TC58FVT800FT10EL | TC58FVT800FT10EL TOSHIBA ORIGINAL | TC58FVT800FT10EL.pdf | |
![]() | SG684965 | SG684965 FAIRCHILD DIP-8 | SG684965.pdf |