창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5955B G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 180V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1.25W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 900옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 136.8V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5955B G | |
관련 링크 | 1N595, 1N5955B G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | EEE-TK1J221AQ | 220µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 260 mOhm @ 100kHz 2000 Hrs @ 125°C | EEE-TK1J221AQ.pdf | |
![]() | 4302R-182H | 1.8µH Unshielded Inductor 430mA 800 mOhm Max 2-SMD | 4302R-182H.pdf | |
![]() | MB7118BH | MB7118BH FUJITSU DIP | MB7118BH.pdf | |
![]() | 1N4737AG(1W7.5V) | 1N4737AG(1W7.5V) EIC DO-41 | 1N4737AG(1W7.5V).pdf | |
![]() | LT1634BCS8-2.5#PBF | LT1634BCS8-2.5#PBF LINEARTECHNOLOGY 8-SOIC 3.9mm | LT1634BCS8-2.5#PBF.pdf | |
![]() | IRF634NPBF | IRF634NPBF IR TO-220 | IRF634NPBF.pdf | |
![]() | NDL5151P | NDL5151P NEC SMD or Through Hole | NDL5151P.pdf | |
![]() | 74ACT715--LM1882CM. | 74ACT715--LM1882CM. NS SMD20P | 74ACT715--LM1882CM..pdf | |
![]() | IRFS9532 | IRFS9532 IR TO-220F | IRFS9532.pdf | |
![]() | BC25-02WSSBW | BC25-02WSSBW JAM SMD or Through Hole | BC25-02WSSBW.pdf | |
![]() | UPB8216D-B | UPB8216D-B NEC DIP | UPB8216D-B.pdf |