창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5953BP/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 150V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 600옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 114V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5953BP/TR8 | |
관련 링크 | 1N5953B, 1N5953BP/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
2512R-682J | 6.8µH Unshielded Inductor 580mA 1.2 Ohm Max 2-SMD | 2512R-682J.pdf | ||
310600010055 | HERMETIC THERMOSTAT | 310600010055.pdf | ||
S1T8503X01-DO | S1T8503X01-DO SAMSUNG DIP18 | S1T8503X01-DO.pdf | ||
929667-04-36 | 929667-04-36 M SMD or Through Hole | 929667-04-36.pdf | ||
AD800BR-52 | AD800BR-52 AD SOP | AD800BR-52.pdf | ||
BC80725MTF_NL | BC80725MTF_NL Fairchild SMD or Through Hole | BC80725MTF_NL.pdf | ||
OZ8771LN-C1-O-TR | OZ8771LN-C1-O-TR MICRO QFN | OZ8771LN-C1-O-TR.pdf | ||
0402B332K500CT | 0402B332K500CT WNSIN 0402-332K 3300PF 50V | 0402B332K500CT.pdf | ||
M37772V1BU-O | M37772V1BU-O ORIGINAL QFP | M37772V1BU-O.pdf | ||
TLE4299G V33 | TLE4299G V33 Infineon PG-DSO-8 | TLE4299G V33.pdf | ||
2SC2240-GR(F) | 2SC2240-GR(F) Toshiba SMD or Through Hole | 2SC2240-GR(F).pdf | ||
PMB3347 F6 | PMB3347 F6 ORIGINAL SOPDIP | PMB3347 F6.pdf |