창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5953BG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5913B Series | |
| PCN 설계/사양 | Datasheet Update 14/Aug/2008 | |
| 카탈로그 페이지 | 1559 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 150V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 600옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 114V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | 축방향 | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | 1N5953BG-ND 1N5953BGOS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5953BG | |
| 관련 링크 | 1N59, 1N5953BG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | PHP00805E5690BBT1 | RES SMD 569 OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805E5690BBT1.pdf | |
![]() | SFR25H0003600JA100 | RES 360 OHM 1/2W 5% AXIAL | SFR25H0003600JA100.pdf | |
| RSMF1GT240R | RES MO 1W 240 OHM 2% AXIAL | RSMF1GT240R.pdf | ||
![]() | MBB02070D2200DRP00 | RES 220 OHM 0.6W 0.5% AXIAL | MBB02070D2200DRP00.pdf | |
![]() | P51-750-S-Y-D-20MA-000-000 | Pressure Sensor 750 PSI (5171.07 kPa) Sealed Gauge Female - 7/16" (11.11mm) UNF 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-750-S-Y-D-20MA-000-000.pdf | |
![]() | VC-3RA22-1663 | VC-3RA22-1663 FUJITS SMD | VC-3RA22-1663.pdf | |
![]() | 23K640-E/P | 23K640-E/P microchip SMD or Through Hole | 23K640-E/P.pdf | |
![]() | DEPAEPE HD10V93 | DEPAEPE HD10V93 N/Y DIP28 | DEPAEPE HD10V93.pdf | |
![]() | 74HC366N | 74HC366N NXP SMD or Through Hole | 74HC366N.pdf | |
![]() | K4N51163QE-C25 | K4N51163QE-C25 SAMSUNG BGA | K4N51163QE-C25.pdf | |
![]() | SI3801DV-T1(01EN) | SI3801DV-T1(01EN) SILICONIX SOT-163 | SI3801DV-T1(01EN).pdf | |
![]() | M67736 | M67736 MITSUBIS SMD or Through Hole | M67736.pdf |