창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5952CE3/TR13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 130V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 1.5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 450옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 98.8V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5952CE3/TR13 | |
| 관련 링크 | 1N5952CE, 1N5952CE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | VJ1808A221KBLAT4X | 220pF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) | VJ1808A221KBLAT4X.pdf | |
![]() | 8Z-19.200MAAV-T | 19.2MHz ±30ppm 수정 8pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 8Z-19.200MAAV-T.pdf | |
![]() | MJS3A250VBULK | MJS3A250VBULK BELFUSE SMD or Through Hole | MJS3A250VBULK.pdf | |
![]() | 1298G | 1298G LUCENT BGA | 1298G.pdf | |
![]() | D4217805G5 | D4217805G5 NEC TSOP | D4217805G5.pdf | |
![]() | 38428DM | 38428DM ORIGINAL SOP-8 | 38428DM.pdf | |
![]() | OBS201-A NG-119989-001 JY2 | OBS201-A NG-119989-001 JY2 NEC MODULE | OBS201-A NG-119989-001 JY2.pdf | |
![]() | SU250-12S05-FA | SU250-12S05-FA SUCCEED 139 88 25(mm) | SU250-12S05-FA.pdf | |
![]() | 1825-0216 | 1825-0216 HP BGA | 1825-0216.pdf | |
![]() | U1ZB220-Y(TE12L,Q) | U1ZB220-Y(TE12L,Q) ORIGINAL SMD or Through Hole | U1ZB220-Y(TE12L,Q).pdf | |
![]() | IPSGDX160VA-3B208-5I | IPSGDX160VA-3B208-5I ORIGINAL BGA | IPSGDX160VA-3B208-5I.pdf | |
![]() | NDC632P/632 | NDC632P/632 FAIRCHIL SOT-163 | NDC632P/632.pdf |