창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5952C G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 130V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 1.25W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 450옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 98.8V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5952C G | |
관련 링크 | 1N595, 1N5952C G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
ABM10-30.000MHZ-E20-T | 30MHz ±20ppm 수정 10pF 70옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM10-30.000MHZ-E20-T.pdf | ||
HCM4925000000BAJT | 25MHz ±50ppm 수정 18pF 50옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | HCM4925000000BAJT.pdf | ||
M48Z512-70PM1 | M48Z512-70PM1 ST DIP | M48Z512-70PM1.pdf | ||
LANK515DW3H | LANK515DW3H WALL DIP24SMT24 | LANK515DW3H.pdf | ||
KMM5364105CK-5 | KMM5364105CK-5 Samsung Bag | KMM5364105CK-5.pdf | ||
RF9275E3.3 | RF9275E3.3 RFMD QFN-33 | RF9275E3.3.pdf | ||
KSC1623-LTF | KSC1623-LTF KEC SOT-23 3.9MM | KSC1623-LTF.pdf | ||
TLP3555 | TLP3555 TOSHIBA SSOP4 | TLP3555.pdf | ||
AXK8L20115BG | AXK8L20115BG NAIS SMD or Through Hole | AXK8L20115BG.pdf | ||
PIC16C745-I/ | PIC16C745-I/ MICROCHIP SOP | PIC16C745-I/.pdf | ||
MB624601UM | MB624601UM FUJI DIP40 | MB624601UM.pdf |