창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5947APE3/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 82V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 1.5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 160옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 62.2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5947APE3/TR12 | |
| 관련 링크 | 1N5947APE, 1N5947APE3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | RC0402JR-075K6L | RES SMD 5.6K OHM 5% 1/16W 0402 | RC0402JR-075K6L.pdf | |
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![]() | TC58NVG3D4CT | TC58NVG3D4CT Toshiba SMD or Through Hole | TC58NVG3D4CT.pdf | |
![]() | LTDHG | LTDHG ORIGINAL SMD | LTDHG.pdf | |
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![]() | DS1262 | DS1262 DALLAS DIP | DS1262.pdf | |
![]() | P80C851FBAV2 | P80C851FBAV2 ph SMD or Through Hole | P80C851FBAV2.pdf | |
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![]() | ERJ8GEYJ474V | ERJ8GEYJ474V PANASONIC SMD | ERJ8GEYJ474V.pdf | |
![]() | MA6216A | MA6216A CONVERTER DIP | MA6216A.pdf | |
![]() | LY626416GL-55LL | LY626416GL-55LL Lyontek BGA | LY626416GL-55LL.pdf |