창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5939BPE3/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 39V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 45옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 29.7V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5939BPE3/TR8 | |
관련 링크 | 1N5939BP, 1N5939BPE3/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
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![]() | HM538253J8 | HM538253J8 HIT SOJ | HM538253J8.pdf | |
![]() | C0402C472K5RAC | C0402C472K5RAC KEMET Original Package | C0402C472K5RAC.pdf | |
![]() | P83C575EHPN/CV3895 | P83C575EHPN/CV3895 NXP P83C575EHPN DIP40 TU | P83C575EHPN/CV3895.pdf | |
![]() | 216HSA4ALA12FG | 216HSA4ALA12FG INTEL SMD or Through Hole | 216HSA4ALA12FG.pdf | |
![]() | 1N4737A133 | 1N4737A133 NXP SMD or Through Hole | 1N4737A133.pdf | |
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