창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5932P/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 20V | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 전력 - 최대 | 1.5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 14옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 15.2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5932P/TR12 | |
| 관련 링크 | 1N5932P, 1N5932P/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | VY2100K29U2JS63V5 | 10pF 440VAC 세라믹 커패시터 U2J 방사형, 디스크 0.295" Dia(7.50mm) | VY2100K29U2JS63V5.pdf | |
![]() | RT1206DRE071K74L | RES SMD 1.74K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRE071K74L.pdf | |
![]() | 0603 white | 0603 white Everlight SMD or Through Hole | 0603 white.pdf | |
![]() | WE839 | WE839 NEC DIP-4 | WE839.pdf | |
![]() | 71.31.8400.1021 | 71.31.8400.1021 FINDER DIP-SOP | 71.31.8400.1021.pdf | |
![]() | MAX520BEWE | MAX520BEWE MAXIM SOP | MAX520BEWE.pdf | |
![]() | 190690042 | 190690042 MOLEX SMD or Through Hole | 190690042.pdf | |
![]() | FZ2400R12KE3_B9 | FZ2400R12KE3_B9 Eupec 2400A 1200V | FZ2400R12KE3_B9.pdf | |
![]() | MVK35VC22M | MVK35VC22M NIPPON 6.3X6 | MVK35VC22M.pdf | |
![]() | 63010GB07-70J | 63010GB07-70J ST PLCC | 63010GB07-70J.pdf | |
![]() | C0603C0G1E08 | C0603C0G1E08 TDK SMD or Through Hole | C0603C0G1E08.pdf | |
![]() | GTIXF1002EC | GTIXF1002EC INTEL BGA | GTIXF1002EC.pdf |