창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5932C G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 20V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 1.25W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 14옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 15.2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5932C G | |
| 관련 링크 | 1N593, 1N5932C G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | MBRB30H30CT-1G | DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V I2PAK | MBRB30H30CT-1G.pdf | |
![]() | RB160M-30TR | DIODE SCHOTTKY 30V 1A PMDU | RB160M-30TR.pdf | |
![]() | LQW2BASR15G00L | 150nH Unshielded Wirewound Inductor 400mA 560 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | LQW2BASR15G00L.pdf | |
![]() | RSMF5JK51K0 | METAL OXIDE 5W 5% 51K OHM T&R | RSMF5JK51K0.pdf | |
![]() | HM4812BP-2 | HM4812BP-2 HIT DIP-16 | HM4812BP-2.pdf | |
![]() | MLG1608A1N2ST000 | MLG1608A1N2ST000 TDK SMD or Through Hole | MLG1608A1N2ST000.pdf | |
![]() | VP0635N3 | VP0635N3 Supertex TO-92 | VP0635N3.pdf | |
![]() | IDT75K72100S100RL | IDT75K72100S100RL IDT BGA | IDT75K72100S100RL.pdf | |
![]() | CS4328-BS | CS4328-BS CRYSTAL SOP28 | CS4328-BS.pdf | |
![]() | UPD4217400-60 | UPD4217400-60 NEC SMD or Through Hole | UPD4217400-60.pdf | |
![]() | NW1-05D15S | NW1-05D15S ORIGINAL SMD or Through Hole | NW1-05D15S.pdf |