창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5931E3/TR13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 18V | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 전력 - 최대 | 1.5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 12옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 13.7V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5931E3/TR13 | |
| 관련 링크 | 1N5931E, 1N5931E3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 4P200F35CST | 20MHz ±30ppm 수정 시리즈 30옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 4P200F35CST.pdf | |
![]() | EGP50A-E3/54 | DIODE GEN PURP 50V 5A GP20 | EGP50A-E3/54.pdf | |
![]() | TC124-FR-07909KL | RES ARRAY 4 RES 909K OHM 0804 | TC124-FR-07909KL.pdf | |
![]() | RNF14FTC287R | RES 287 OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FTC287R.pdf | |
![]() | 4395A2 | 4395A2 Edac SMD or Through Hole | 4395A2.pdf | |
![]() | C19207N62 | C19207N62 WOODHEAD SMD or Through Hole | C19207N62.pdf | |
![]() | HD63140P8 | HD63140P8 HITACHI DIP SOP | HD63140P8.pdf | |
![]() | DSX321G 48MHZ 8.0PF | DSX321G 48MHZ 8.0PF KDS 3225 | DSX321G 48MHZ 8.0PF.pdf | |
![]() | U1Z | U1Z LT DIP | U1Z.pdf | |
![]() | DVD V7 | DVD V7 PLDS SMD or Through Hole | DVD V7.pdf | |
![]() | 594D104X9035A2TE3 | 594D104X9035A2TE3 VISHAY SMD | 594D104X9035A2TE3.pdf |