창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5931D G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 18V | |
허용 오차 | ±1% | |
전력 - 최대 | 1.25W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 12옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 13.7V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5931D G | |
관련 링크 | 1N593, 1N5931D G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | SIT3822AC-1D3-33EH500.000000T | OSC XO 3.3V 500MHZ OE | SIT3822AC-1D3-33EH500.000000T.pdf | |
![]() | 3KBP06M-E4/51 | DIODE BRIDGE 3A 600V KBPM | 3KBP06M-E4/51.pdf | |
![]() | RT1N44HM-T111-1 TEL:82766440 | RT1N44HM-T111-1 TEL:82766440 NA SOT323 | RT1N44HM-T111-1 TEL:82766440.pdf | |
![]() | TA8155FN SMD | TA8155FN SMD TOS SMD or Through Hole | TA8155FN SMD.pdf | |
![]() | SD32GB(4)/SD-K32G2R6W RETAIL | SD32GB(4)/SD-K32G2R6W RETAIL TOSHIBA SMD or Through Hole | SD32GB(4)/SD-K32G2R6W RETAIL.pdf | |
![]() | PF2010FKM7W0R015Z | PF2010FKM7W0R015Z YAGEO SMD | PF2010FKM7W0R015Z.pdf | |
![]() | EC11E09244AQ | EC11E09244AQ ALPS SMD or Through Hole | EC11E09244AQ.pdf | |
![]() | 1123002-2 | 1123002-2 TE/Tyco/AMP Connector | 1123002-2.pdf | |
![]() | TCXO-65.537M | TCXO-65.537M ORIGINAL VCTCXO | TCXO-65.537M.pdf | |
![]() | STN3906-JA | STN3906-JA AUK SOT-23 | STN3906-JA.pdf | |
![]() | NL17SZ74VSG | NL17SZ74VSG ON SMD or Through Hole | NL17SZ74VSG.pdf |