창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5929P/TR8 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 15V | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 전력 - 최대 | 1.5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 9옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 11.4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5929P/TR8 | |
| 관련 링크 | 1N5929, 1N5929P/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | SCRH1035R-680 | 68µH Shielded Inductor 1.3A 268 mOhm Max Nonstandard | SCRH1035R-680.pdf | |
![]() | PHT0603Y1000BGT200 | RES SMD 100OHM 0.1% 0.0375W 0603 | PHT0603Y1000BGT200.pdf | |
![]() | Y65KPE | Y65KPE TECHSEM SMD or Through Hole | Y65KPE.pdf | |
![]() | IRFZ35 | IRFZ35 HY TSOP | IRFZ35.pdf | |
![]() | LTT673-R1-3-0-R18 | LTT673-R1-3-0-R18 OSRAMOPTO SMD or Through Hole | LTT673-R1-3-0-R18.pdf | |
![]() | FTR-112-53-S-S-P-TR | FTR-112-53-S-S-P-TR SAMTEC SMD or Through Hole | FTR-112-53-S-S-P-TR.pdf | |
![]() | NCP1201D100R2 | NCP1201D100R2 ONSEMI SOIC-7-8-VHVIC | NCP1201D100R2.pdf | |
![]() | MCBA0007801 | MCBA0007801 SH SMD or Through Hole | MCBA0007801.pdf | |
![]() | XC303L-8VQ100C | XC303L-8VQ100C XILINX QFP | XC303L-8VQ100C.pdf | |
![]() | Si2457FS08-EVB | Si2457FS08-EVB SILICON SMD or Through Hole | Si2457FS08-EVB.pdf | |
![]() | NZX3V3A,133 | NZX3V3A,133 NXP SOD27 | NZX3V3A,133.pdf | |
![]() | KSR1110TF | KSR1110TF SAMSUNG TR 40V 100mA 10Kohm | KSR1110TF.pdf |