창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5926AP/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 11V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 5.5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 8.4V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5926AP/TR8 | |
관련 링크 | 1N5926A, 1N5926AP/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | C0805C100K2GALTU | 10pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C100K2GALTU.pdf | |
![]() | MKP383256160JFP2B0 | 5600pF Film Capacitor 550V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.236" W (17.50mm x 6.00mm) | MKP383256160JFP2B0.pdf | |
AV-13.530537MDHV-T | 13.530537MHz ±20ppm 수정 8pF 120옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | AV-13.530537MDHV-T.pdf | ||
![]() | HLMP-CM3B-Z10DD | Green 525nm LED Indication - Discrete 3.2V Radial | HLMP-CM3B-Z10DD.pdf | |
![]() | 33.0000B2PC | 33.0000B2PC EPSON SOJ4 | 33.0000B2PC.pdf | |
![]() | 166N24 | 166N24 ORIGINAL NEW | 166N24.pdf | |
![]() | HL2-HP-DC12V | HL2-HP-DC12V ORIGINAL DIP | HL2-HP-DC12V.pdf | |
![]() | TB28F400BV-T80 | TB28F400BV-T80 INTEL SOP44 | TB28F400BV-T80.pdf | |
![]() | SC9S08AW32RCFUE | SC9S08AW32RCFUE FREESCALE SMD or Through Hole | SC9S08AW32RCFUE.pdf | |
![]() | ENG3990250780 | ENG3990250780 Telit SMD or Through Hole | ENG3990250780.pdf | |
![]() | TH3020.1I | TH3020.1I Thesys SMD or Through Hole | TH3020.1I.pdf | |
![]() | H8ACSOSJOBCR-46M | H8ACSOSJOBCR-46M HYNIX BGA | H8ACSOSJOBCR-46M.pdf |