창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5925BUR-1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N59xxBUR-1 (aka CDLL9513-56) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 10V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1.25W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 4.5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 8V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-213AB, MELF | |
공급 장치 패키지 | DO-213AB | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5925BUR-1 | |
관련 링크 | 1N5925, 1N5925BUR-1 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 445W22E14M31818 | 14.31818MHz ±20ppm 수정 20pF 50옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W22E14M31818.pdf | |
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![]() | 766163512GP | RES ARRAY 8 RES 5.1K OHM 16SOIC | 766163512GP.pdf | |
![]() | TCXOS12732M768 | TCXOS12732M768 kvg SMD or Through Hole | TCXOS12732M768.pdf | |
![]() | K4H561633G-BN75 | K4H561633G-BN75 SAMSUNG FBGA54 | K4H561633G-BN75.pdf | |
![]() | BU2483-3L | BU2483-3L ROHM SOP18 | BU2483-3L.pdf | |
![]() | FT-63EP 203 | FT-63EP 203 COPAL SMD or Through Hole | FT-63EP 203.pdf | |
![]() | CL21B123JBNCA | CL21B123JBNCA ORIGINAL C-CE-CHIP-12NF-50V- | CL21B123JBNCA.pdf |