창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5924AE3/TR13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 9.1V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 1.5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 4옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 7V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5924AE3/TR13 | |
| 관련 링크 | 1N5924AE, 1N5924AE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | MR042A120KAA | 12pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.190" L x 0.090" W(4.83mm x 2.28mm) | MR042A120KAA.pdf | |
![]() | D151G33C0GH65J5R | 150pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.335" Dia(8.50mm) | D151G33C0GH65J5R.pdf | |
![]() | SIT8008BI-22-XXE-8.000000D | OSC XO 8MHZ | SIT8008BI-22-XXE-8.000000D.pdf | |
![]() | A1101R08C00GM | RF TXRX MODULE ISM<1GHZ U.FL ANT | A1101R08C00GM.pdf | |
![]() | RT1N141C-T12 | RT1N141C-T12 MIT SOT23 | RT1N141C-T12.pdf | |
![]() | CXD3059 | CXD3059 SONY QFP | CXD3059.pdf | |
![]() | AAT3522IGY-2.63-200-T1 TEL:82766440 | AAT3522IGY-2.63-200-T1 TEL:82766440 ANALOGICTECH SMD or Through Hole | AAT3522IGY-2.63-200-T1 TEL:82766440.pdf | |
![]() | FX663P3 | FX663P3 CML DIP16 | FX663P3.pdf | |
![]() | GF-5828 | GF-5828 FUJITSU SOP16 | GF-5828.pdf | |
![]() | TSC2101RGZRG4 | TSC2101RGZRG4 TI-BB QFN48 | TSC2101RGZRG4.pdf | |
![]() | D3V-11G2M1C25K | D3V-11G2M1C25K OmronElectronics SMD or Through Hole | D3V-11G2M1C25K.pdf |