창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5923D G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 8.2V | |
허용 오차 | ±1% | |
전력 - 최대 | 1.25W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 3.5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 6.5V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5923D G | |
관련 링크 | 1N592, 1N5923D G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
CBR02C608C9GAC | 0.60pF 6.3V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | CBR02C608C9GAC.pdf | ||
9C-14.7456MAAJ-T | 14.7456MHz ±30ppm 수정 18pF 30옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 9C-14.7456MAAJ-T.pdf | ||
416F4001XCKT | 40MHz ±10ppm 수정 8pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F4001XCKT.pdf | ||
HSA50R10J | RES CHAS MNT 0.1 OHM 5% 50W | HSA50R10J.pdf | ||
Y00588K72100T19L | RES 8.721K OHM 0.3W 0.01% AXIAL | Y00588K72100T19L.pdf | ||
F16BI02 | F16BI02 ORIGINAL DIP | F16BI02.pdf | ||
641D/E | 641D/E AMKOR QFP | 641D/E.pdf | ||
LA5779LN-HK-E | LA5779LN-HK-E SANYO TO-220-5 | LA5779LN-HK-E.pdf | ||
MCS827725 | MCS827725 MURR null | MCS827725.pdf | ||
MCHC11F1CFNE | MCHC11F1CFNE ORIGINAL SMD or Through Hole | MCHC11F1CFNE.pdf | ||
M34225M1-523SP | M34225M1-523SP MIT DIP30 | M34225M1-523SP.pdf | ||
54F521M/2CJC | 54F521M/2CJC ORIGINAL SMD or Through Hole | 54F521M/2CJC.pdf |