창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5922P/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 7.5V | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 전력 - 최대 | 1.5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 3옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 6V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5922P/TR12 | |
| 관련 링크 | 1N5922P, 1N5922P/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | VJ2220Y563JBLAT4X | 0.056µF 630V 세라믹 커패시터 X7R 2220(5750 미터법) 0.226" L x 0.200" W(5.74mm x 5.08mm) | VJ2220Y563JBLAT4X.pdf | |
![]() | GL19BF35CDT | 19.6608MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL19BF35CDT.pdf | |
![]() | RMCF2512JT51R0 | RES SMD 51 OHM 5% 1W 2512 | RMCF2512JT51R0.pdf | |
| WSK1206R0340FEA | RES SMD 0.034 OHM 1% 1/4W 1206 | WSK1206R0340FEA.pdf | ||
![]() | LM340AK-5.0 | LM340AK-5.0 NS TO-3-2 | LM340AK-5.0.pdf | |
![]() | CW402019P | CW402019P N/A DIP-8 | CW402019P.pdf | |
![]() | AWT6222RM28Q7 | AWT6222RM28Q7 ANADIGICS QFN | AWT6222RM28Q7.pdf | |
![]() | 69307-032 | 69307-032 Hirose SOD-323 | 69307-032.pdf | |
![]() | TDC-20-1 | TDC-20-1 MINI SMD or Through Hole | TDC-20-1.pdf | |
![]() | CM400DY-50H | CM400DY-50H MIT SMD or Through Hole | CM400DY-50H.pdf | |
![]() | S29GL256N11FFI02 | S29GL256N11FFI02 SPANSI BGA | S29GL256N11FFI02.pdf | |
![]() | MAX3516EUPDY | MAX3516EUPDY MAXIM TSSOP20 | MAX3516EUPDY.pdf |