창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5921AP/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 2.5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 5.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5921AP/TR8 | |
관련 링크 | 1N5921A, 1N5921AP/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | BA159GPE-E3/73 | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL | BA159GPE-E3/73.pdf | |
RSMF1GT3R30 | RES MO 1W 3.3 OHM 2% AXIAL | RSMF1GT3R30.pdf | ||
![]() | Y0789383R000T0L | RES 383 OHM 0.3W 0.01% RADIAL | Y0789383R000T0L.pdf | |
![]() | D8100 | D8100 KEC HDIP12TSSOP14 | D8100.pdf | |
![]() | 40.640MHZ/2785V | 40.640MHZ/2785V NDK SMD or Through Hole | 40.640MHZ/2785V.pdf | |
![]() | TK-E02 | TK-E02 ORIGINAL SMD or Through Hole | TK-E02.pdf | |
![]() | W3A45A560KAT2A | W3A45A560KAT2A ORIGINAL SMD or Through Hole | W3A45A560KAT2A.pdf | |
![]() | BC848-B | BC848-B ORIGINAL SOT-23 | BC848-B.pdf | |
![]() | D121515D-2W | D121515D-2W HARRIS SMD or Through Hole | D121515D-2W.pdf | |
![]() | 70T987226 | 70T987226 HRSDR SMD or Through Hole | 70T987226.pdf | |
![]() | 7E66L-1R0N | 7E66L-1R0N SAGAMI 7E66L | 7E66L-1R0N.pdf | |
![]() | CLM-115-02-F-D-P-TR | CLM-115-02-F-D-P-TR SAMTEC SMD or Through Hole | CLM-115-02-F-D-P-TR.pdf |