창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5918PE3/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.1V | |
허용 오차 | ±20% | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 4옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5918PE3/TR12 | |
관련 링크 | 1N5918PE, 1N5918PE3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | SM8S43ATHE3/I | TVS DIODE 43VWM 69.4VC | SM8S43ATHE3/I.pdf | |
![]() | ASTMHTFL-12.000MHZ-XK-E | 12MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTFL-12.000MHZ-XK-E.pdf | |
![]() | R5009FNJTL | MOSFET N-CH 500V 9A LPT | R5009FNJTL.pdf | |
![]() | ERA-8AEB751V | RES SMD 750 OHM 0.1% 1/4W 1206 | ERA-8AEB751V.pdf | |
![]() | M1MA151WAT1 | M1MA151WAT1 ON SMD or Through Hole | M1MA151WAT1.pdf | |
![]() | 0275007.V- | 0275007.V- WICKMANN DIP | 0275007.V-.pdf | |
![]() | SEL4532T-331K | SEL4532T-331K ORIGINAL SMD or Through Hole | SEL4532T-331K.pdf | |
![]() | CMP0817BA0-H70I | CMP0817BA0-H70I FIDELIX SMD or Through Hole | CMP0817BA0-H70I.pdf | |
![]() | 19-21VYC/S530-A2/ | 19-21VYC/S530-A2/ EVERLIGHT ROHS | 19-21VYC/S530-A2/.pdf | |
![]() | ESDA6V1AW5-5-TR | ESDA6V1AW5-5-TR WILLSEMI SMD or Through Hole | ESDA6V1AW5-5-TR.pdf | |
![]() | LAH-50V682MS6 | LAH-50V682MS6 ELNA DIP | LAH-50V682MS6.pdf | |
![]() | ESME251LGC222MC80M | ESME251LGC222MC80M NIPPONCHEMI-COM DIP | ESME251LGC222MC80M.pdf |