창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5917AP/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.7V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 1.5V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5917AP/TR8 | |
관련 링크 | 1N5917A, 1N5917AP/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
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![]() | NLFV32T-221K-EFT | 220µH Shielded Wirewound Inductor 40mA 6.12 Ohm Max Nonstandard | NLFV32T-221K-EFT.pdf | |
![]() | CFR-25JR-52-1M | RES 1M OHM 1/4W 5% AXIAL | CFR-25JR-52-1M.pdf | |
![]() | TLP2814G | TLP2814G ORIGINAL SMD or Through Hole | TLP2814G.pdf | |
![]() | 8A978BLW | 8A978BLW PT SMD or Through Hole | 8A978BLW.pdf | |
![]() | UG3SL101K0709-C | UG3SL101K0709-C TAIYO SMD or Through Hole | UG3SL101K0709-C.pdf | |
![]() | S30EF6B | S30EF6B IR SMD or Through Hole | S30EF6B.pdf | |
![]() | IMP809TEUR-T TEL:82766440 | IMP809TEUR-T TEL:82766440 IMP SOT23 | IMP809TEUR-T TEL:82766440.pdf | |
![]() | D30710RS-300 | D30710RS-300 NEC PGA | D30710RS-300.pdf | |
![]() | CD90V7740 | CD90V7740 QUALCOMM QFN | CD90V7740.pdf | |
![]() | SN5405AJ | SN5405AJ TI CDIP | SN5405AJ.pdf | |
![]() | J0011D11JNL | J0011D11JNL PULSE RJ45 | J0011D11JNL.pdf |