창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5916CE3/TR13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.3V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 1.5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 6옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5916CE3/TR13 | |
| 관련 링크 | 1N5916CE, 1N5916CE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | SMQ200VS102M30X30T2 | 1000µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 249 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | SMQ200VS102M30X30T2.pdf | |
![]() | ASTMHTV-16.000MHZ-ZR-E | 16MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTV-16.000MHZ-ZR-E.pdf | |
![]() | Y006250R0000F0L | RES 50 OHM 0.6W 1% RADIAL | Y006250R0000F0L.pdf | |
![]() | Y00898K67200TR1R | RES 8.672K OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y00898K67200TR1R.pdf | |
![]() | MS46SR-20-785-Q1-30X-30R-NC-FP | SYSTEM | MS46SR-20-785-Q1-30X-30R-NC-FP.pdf | |
![]() | IRG4PH50UDP | IRG4PH50UDP IR SMD or Through Hole | IRG4PH50UDP.pdf | |
![]() | LA1260 #T | LA1260 #T SANYO DIP-16P | LA1260 #T.pdf | |
![]() | TC84C00AP-8 | TC84C00AP-8 TOSHIBA DIP-64 | TC84C00AP-8.pdf | |
![]() | KS5514B-2 | KS5514B-2 SEC DIP-24P | KS5514B-2.pdf | |
![]() | BDS420S822M | BDS420S822M NA SMD or Through Hole | BDS420S822M.pdf | |
![]() | LGU2G181MELENH | LGU2G181MELENH ORIGINAL SMD or Through Hole | LGU2G181MELENH.pdf | |
![]() | TD71-1205A | TD71-1205A HALO DIP6 | TD71-1205A.pdf |