창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5915D G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.9V | |
| 허용 오차 | ±1% | |
| 전력 - 최대 | 1.25W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 7.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5915D G | |
| 관련 링크 | 1N591, 1N5915D G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | ERA-8APB2872V | RES SMD 28.7K OHM 0.1% 1/4W 1206 | ERA-8APB2872V.pdf | |
![]() | 105087-HMC421QS16 | 105087-HMC421QS16 HITTITE SMD or Through Hole | 105087-HMC421QS16.pdf | |
![]() | VH0402M240CGT2R5 | VH0402M240CGT2R5 walsin SMD or Through Hole | VH0402M240CGT2R5.pdf | |
![]() | TS951ILT. | TS951ILT. ST SOT23-5 | TS951ILT..pdf | |
![]() | 52030-3803B | 52030-3803B T TO-66 | 52030-3803B.pdf | |
![]() | MN103S97NNS | MN103S97NNS Pb SMD or Through Hole | MN103S97NNS.pdf | |
![]() | NFORCETM IGP 128 | NFORCETM IGP 128 NVIDIA BGA | NFORCETM IGP 128.pdf | |
![]() | SI7865ADY-T1-E3 | SI7865ADY-T1-E3 VISHAY SOP8 | SI7865ADY-T1-E3.pdf | |
![]() | 4416P-001-561 | 4416P-001-561 ORIGINAL SMD or Through Hole | 4416P-001-561.pdf | |
![]() | IRF5310 | IRF5310 IR TO-220AB | IRF5310.pdf | |
![]() | IS62WV25616DV30L-55TI | IS62WV25616DV30L-55TI ISSI SMD or Through Hole | IS62WV25616DV30L-55TI.pdf |