창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5914P/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.6V | |
허용 오차 | ±20% | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 9옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 75µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5914P/TR12 | |
관련 링크 | 1N5914P, 1N5914P/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
B43508B2567M7 | 560µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 210 mOhm @ 100Hz 3000 Hrs @ 105°C | B43508B2567M7.pdf | ||
GCJ31BR72E683KXJ1L | 0.068µF 250V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | GCJ31BR72E683KXJ1L.pdf | ||
406I35B10M00000 | 10MHz ±30ppm 수정 13pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 406I35B10M00000.pdf | ||
TPS3801K33DCKT | TPS3801K33DCKT TI SC70-5 | TPS3801K33DCKT.pdf | ||
LF-H41F 0238 | LF-H41F 0238 ORIGINAL BGA | LF-H41F 0238.pdf | ||
MB90F462APMC-G-SHE1 | MB90F462APMC-G-SHE1 FUJI QFP64 | MB90F462APMC-G-SHE1.pdf | ||
LM4836MT/MTE | LM4836MT/MTE NS TSSOP28 | LM4836MT/MTE.pdf | ||
182734-3 | 182734-3 TEConnectivity SMD or Through Hole | 182734-3.pdf | ||
S4985G3NR | S4985G3NR ORIGINAL SMD or Through Hole | S4985G3NR.pdf | ||
Z86C3312PSCR2130 | Z86C3312PSCR2130 ZIL SMD or Through Hole | Z86C3312PSCR2130.pdf | ||
MSC0805C-10NJ | MSC0805C-10NJ EROCORE NA | MSC0805C-10NJ.pdf | ||
37.875MHZ | 37.875MHZ KDS SMD or Through Hole | 37.875MHZ.pdf |