창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5913BPE3/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.3V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 1.5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 10옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5913BPE3/TR12 | |
| 관련 링크 | 1N5913BPE, 1N5913BPE3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 416F50025AAT | 50MHz ±20ppm 수정 10pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F50025AAT.pdf | |
![]() | NDF06N60ZH | MOSFET N-CH 600V 7.1A TO220FP | NDF06N60ZH.pdf | |
![]() | CRCW20105R76FKEFHP | RES SMD 5.76 OHM 1% 1W 2010 | CRCW20105R76FKEFHP.pdf | |
![]() | TNPW0402309RBEED | RES SMD 309 OHM 0.1% 1/16W 0402 | TNPW0402309RBEED.pdf | |
![]() | 1600V/332 | 1600V/332 ORIGINAL SMD or Through Hole | 1600V/332.pdf | |
![]() | TENTA1585PCM | TENTA1585PCM TI BGA | TENTA1585PCM.pdf | |
![]() | 400BXA22M12.5X20 | 400BXA22M12.5X20 Rubycon DIP | 400BXA22M12.5X20.pdf | |
![]() | XC9236A18CMR-G | XC9236A18CMR-G TOREX SOT-25 | XC9236A18CMR-G.pdf | |
![]() | ID9308-27A50R. | ID9308-27A50R. IDESYN SMD or Through Hole | ID9308-27A50R..pdf | |
![]() | TC4076BP | TC4076BP TOSHIBA DIP16 | TC4076BP.pdf | |
![]() | CSTCE16M0G55R-R0 | CSTCE16M0G55R-R0 MURATA SMD | CSTCE16M0G55R-R0.pdf |