창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5829R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5829~5831R DO-4 (DO-203AA) Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키, 역극성 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 20V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 25A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 580mV @ 25A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 2mA @ 20V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-4 | |
| 작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 150°C | |
| 표준 포장 | 100 | |
| 다른 이름 | 1N5829RGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5829R | |
| 관련 링크 | 1N58, 1N5829R 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | MXO45HST-3C-14M31818 | 14.31818MHz HCMOS, TTL XO (Standard) Oscillator Through Hole 5V 26mA Enable/Disable | MXO45HST-3C-14M31818.pdf | |
![]() | CRCW12063R30FNTA | RES SMD 3.3 OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW12063R30FNTA.pdf | |
![]() | SFR2500001432FR500 | RES 14.3K OHM 0.4W 1% AXIAL | SFR2500001432FR500.pdf | |
![]() | ID4 | ID4 MIC SOT23 | ID4.pdf | |
![]() | BUH715DH1 | BUH715DH1 ST SMD or Through Hole | BUH715DH1.pdf | |
![]() | C2012C0G1H151JT | C2012C0G1H151JT TDK SMD or Through Hole | C2012C0G1H151JT.pdf | |
![]() | HI1-565ASD | HI1-565ASD HARRIS CDIP | HI1-565ASD.pdf | |
![]() | M30624FGMFPD5 | M30624FGMFPD5 MIT QFP-100 | M30624FGMFPD5.pdf | |
![]() | EFCT5R74KS4K | EFCT5R74KS4K ORIGINAL SMD or Through Hole | EFCT5R74KS4K.pdf | |
![]() | AIC1899GGTR | AIC1899GGTR AIC SMD or Through Hole | AIC1899GGTR.pdf | |
![]() | S-AV35A(TEAL.Q) | S-AV35A(TEAL.Q) TOSHIBA SMD or Through Hole | S-AV35A(TEAL.Q).pdf | |
![]() | BQ-4805S10M LF | BQ-4805S10M LF BOTHHAND DIP24 | BQ-4805S10M LF.pdf |