창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5819HW-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5819HW Datasheet | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 29/Aug/2008 Bond Wire 11/Nov/2011 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1587 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 40V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 1A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 450mV @ 1A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 40V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-123 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
| 작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 125°C | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 1N5819HW-FDITR 1N5819HW7F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5819HW-7-F | |
| 관련 링크 | 1N5819H, 1N5819HW-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | RC2012J475CS | RES SMD 4.7M OHM 5% 1/8W 0805 | RC2012J475CS.pdf | |
![]() | CRCW121018R0FKEAHP | RES SMD 18 OHM 1% 3/4W 1210 | CRCW121018R0FKEAHP.pdf | |
![]() | FJD102PT | FJD102PT ORIGINAL LL34-1KNTC | FJD102PT.pdf | |
![]() | at93c56a10pu2.7 | at93c56a10pu2.7 atm SMD or Through Hole | at93c56a10pu2.7.pdf | |
![]() | 98DX-A1-BIHCOOO | 98DX-A1-BIHCOOO MARVELL SMD or Through Hole | 98DX-A1-BIHCOOO.pdf | |
![]() | 1W3.35 | 1W3.35 ORIGINAL SMD or Through Hole | 1W3.35.pdf | |
![]() | 2SB1295-6-TB | 2SB1295-6-TB ORIGINAL SOT-23 | 2SB1295-6-TB .pdf | |
![]() | L1A1185 | L1A1185 LSI PLCC68 | L1A1185.pdf | |
![]() | 2SD780 / DW4 | 2SD780 / DW4 NEC SOT-23 | 2SD780 / DW4.pdf | |
![]() | TP-6P6C(RJ12) | TP-6P6C(RJ12) CHINA N A | TP-6P6C(RJ12).pdf | |
![]() | Q67060-S6102-A2 | Q67060-S6102-A2 Infineon SMD or Through Hole | Q67060-S6102-A2.pdf |