창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5812 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5812(R),1N5814-16(R) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 50V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 20A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 950mV @ 20A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 15ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 50V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | 300pF @ 10V, 1MHz | |
| 실장 유형 | 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-203AA | |
| 작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 175°C | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5812 | |
| 관련 링크 | 1N5, 1N5812 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | ASTMHTFL-19.200MHZ-AR-E-T | 19.2MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTFL-19.200MHZ-AR-E-T.pdf | |
| AOWF412 | MOSFET N-CH 100V 7.8A TO262F | AOWF412.pdf | ||
![]() | SC3518S-1 | SC3518S-1 AMCC SOP28 | SC3518S-1.pdf | |
![]() | 24AA08/PCAP | 24AA08/PCAP MIC DIP-8 | 24AA08/PCAP.pdf | |
![]() | SS8050C/Y1 | SS8050C/Y1 ORIGINAL SOT23 | SS8050C/Y1.pdf | |
![]() | HD66421CTB0L | HD66421CTB0L Renesas SMD or Through Hole | HD66421CTB0L.pdf | |
![]() | STI5610SWE | STI5610SWE ST BGA | STI5610SWE.pdf | |
![]() | FAR-D5NF-942M50-P1GZ | FAR-D5NF-942M50-P1GZ TAIYO SMD | FAR-D5NF-942M50-P1GZ.pdf | |
![]() | W9725G61B-B | W9725G61B-B ORIGINAL SMD or Through Hole | W9725G61B-B.pdf | |
![]() | LT5522EUF#PBF. | LT5522EUF#PBF. LT QFN | LT5522EUF#PBF..pdf | |
![]() | MST8533 | MST8533 MSTAR QFN | MST8533.pdf | |
![]() | FSI-120-06-L-D-E-AT | FSI-120-06-L-D-E-AT SAMTEC SMD or Through Hole | FSI-120-06-L-D-E-AT.pdf |