창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5620US | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5614US thru 1N5622US | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 800V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 1A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.3V @ 3A | |
| 속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 2µs | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 800V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SQ-MELF, A | |
| 공급 장치 패키지 | D-5A | |
| 작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 200°C | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5620US | |
| 관련 링크 | 1N56, 1N5620US 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
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![]() | MLZ2012M100HT000 | 10µH Shielded Multilayer Inductor 300mA 884 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | MLZ2012M100HT000.pdf | |
![]() | MBB02070D5171DC100 | RES 5.17K OHM 0.6W 0.5% AXIAL | MBB02070D5171DC100.pdf | |
![]() | 0410-12uH | 0410-12uH LGA SMD or Through Hole | 0410-12uH.pdf | |
![]() | SII9993CTG100TR | SII9993CTG100TR ORIGINAL NA | SII9993CTG100TR.pdf | |
![]() | W83L78 | W83L78 WINBOND SOP8 | W83L78.pdf | |
![]() | SNJ54HC74FK 84056012A | SNJ54HC74FK 84056012A N/A LCC | SNJ54HC74FK 84056012A.pdf | |
![]() | PEF3314 V2.2 | PEF3314 V2.2 SIEMENS SMD or Through Hole | PEF3314 V2.2.pdf | |
![]() | LEN1619E | LEN1619E ORIGINAL SMD or Through Hole | LEN1619E.pdf |