창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5553US | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5550US thru 1N5554US | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 800V | |
전류 -평균 정류(Io) | 3A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 9A | |
속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | 2µs | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 800V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SQ-MELF, B | |
공급 장치 패키지 | B, SQ-MELF | |
작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 175°C | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5553US | |
관련 링크 | 1N55, 1N5553US 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
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![]() | TCXO14.850MHZ | TCXO14.850MHZ NDK SMD or Through Hole | TCXO14.850MHZ.pdf | |
![]() | YTP4512BN | YTP4512BN TL DIP16 | YTP4512BN.pdf | |
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