창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5546B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5518B-1N5546B-1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 33V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 113옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10nA @ 29.7V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5546B | |
| 관련 링크 | 1N55, 1N5546B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | CGA4J4C0G2W332J125AA | 3300pF 450V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CGA4J4C0G2W332J125AA.pdf | |
![]() | LQM21DN1R0N00D | 1µH Shielded Multilayer Inductor 60mA 100 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | LQM21DN1R0N00D.pdf | |
![]() | HRG3216P-2430-B-T5 | RES SMD 243 OHM 0.1% 1W 1206 | HRG3216P-2430-B-T5.pdf | |
![]() | RCP1206W910RGS6 | RES SMD 910 OHM 2% 11W 1206 | RCP1206W910RGS6.pdf | |
![]() | CTL0510-0N7CNH | CTL0510-0N7CNH CYNTEC SMD | CTL0510-0N7CNH.pdf | |
![]() | TC1303B-PG0EMF | TC1303B-PG0EMF MICROCHIP QFN | TC1303B-PG0EMF.pdf | |
![]() | G6Y-2214P-12V | G6Y-2214P-12V ORIGINAL DIP | G6Y-2214P-12V.pdf | |
![]() | SPM-802EEN2 | SPM-802EEN2 PHILIPS DP-52 | SPM-802EEN2.pdf | |
![]() | 3321U-1-500 | 3321U-1-500 muRata SMD or Through Hole | 3321U-1-500.pdf | |
![]() | TR-VW503C2EBRA | TR-VW503C2EBRA ORIGINAL SMD or Through Hole | TR-VW503C2EBRA.pdf | |
![]() | Bt8953AEPJJ | Bt8953AEPJJ BT PLCC68 | Bt8953AEPJJ.pdf | |
![]() | PCRH6D28-6R0N-LC-F | PCRH6D28-6R0N-LC-F ORIGINAL SMD or Through Hole | PCRH6D28-6R0N-LC-F.pdf |