창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5536B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5518B-1N5546B-1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 16V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 103옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10nA @ 14.4V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5536B | |
관련 링크 | 1N55, 1N5536B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 416F3801XCTR | 38MHz ±10ppm 수정 6pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F3801XCTR.pdf | |
![]() | IXFN132N50P3 | MOSFET N-CH 500V 112A SOT227 | IXFN132N50P3.pdf | |
![]() | RSL116067 | EXTENDED HEIGHT, 2 POLE/10 AMP, | RSL116067.pdf | |
![]() | RG3216N-2553-D-T5 | RES SMD 255K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RG3216N-2553-D-T5.pdf | |
![]() | RV5VE011K-E2 | RV5VE011K-E2 INFRICOH SOT-23 | RV5VE011K-E2.pdf | |
![]() | KS152JB3-LF | KS152JB3-LF KAWAS PLCC | KS152JB3-LF.pdf | |
![]() | MSP430F149IRTDR | MSP430F149IRTDR TI QFN64 | MSP430F149IRTDR.pdf | |
![]() | SC80C51BCCN40 | SC80C51BCCN40 TOS SMD or Through Hole | SC80C51BCCN40.pdf | |
![]() | 1N4603M | 1N4603M AMP SMD or Through Hole | 1N4603M.pdf | |
![]() | TEA3717DP/TEA3718DP | TEA3717DP/TEA3718DP ST DIP | TEA3717DP/TEA3718DP.pdf | |
![]() | V53C365805AT-50 | V53C365805AT-50 WU TSOP | V53C365805AT-50.pdf | |
![]() | 595D225X0010A2T | 595D225X0010A2T VISHAY SMD | 595D225X0010A2T.pdf |