창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5526B (DO35) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5518B-1N5546B-1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 30옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 6.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5526B (DO35) | |
관련 링크 | 1N5526B , 1N5526B (DO35) 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
BFC238371223 | 0.022µF Film Capacitor 900V 2500V (2.5kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.220" L x 0.433" W (31.00mm x 11.00mm) | BFC238371223.pdf | ||
RSMF2JB30R0 | RES METAL OX 2W 30 OHM 5% AXL | RSMF2JB30R0.pdf | ||
L761 | L761 ST DIP | L761.pdf | ||
7133SA20PF | 7133SA20PF IDT SMD or Through Hole | 7133SA20PF.pdf | ||
STK442-110I | STK442-110I SANYO SMD or Through Hole | STK442-110I.pdf | ||
APL1086GC-TRL* | APL1086GC-TRL* ANPEC SMD or Through Hole | APL1086GC-TRL*.pdf | ||
100uf20VE | 100uf20VE avetron SMD or Through Hole | 100uf20VE.pdf | ||
DS1302 Z | DS1302 Z DS SMD or Through Hole | DS1302 Z.pdf | ||
PM50CLA060-300G | PM50CLA060-300G ORIGINAL SMD or Through Hole | PM50CLA060-300G.pdf | ||
WP154A4SUREQBFZG | WP154A4SUREQBFZG ORIGINAL SMD or Through Hole | WP154A4SUREQBFZG.pdf | ||
IFR-3500(CD90-V1667- | IFR-3500(CD90-V1667- QUALCOMM QFN | IFR-3500(CD90-V1667-.pdf | ||
1ZB18A(TPB5) | 1ZB18A(TPB5) Toshiba 4KTAPG | 1ZB18A(TPB5).pdf |