창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5401G-T | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5400G,08G | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1585 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
전류 -평균 정류(Io) | 3A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 3A | |
속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | 2µs | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 100V | |
정전 용량 @ Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-201AD, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | 축방향 | |
작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 150°C | |
표준 포장 | 1,200 | |
다른 이름 | 1N5401G 1N5401GDITR 1N5401GT 1N5401GTR 1N5401GTR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5401G-T | |
관련 링크 | 1N540, 1N5401G-T 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
TAAC106M050G | 10µF Hermetically Sealed Tantalum Capacitors 50V Axial 1.6 Ohm 0.295" Dia x 0.681" L (7.50mm x 17.30mm) | TAAC106M050G.pdf | ||
BZV55-C43,115 | DIODE ZENER 43V 500MW SOD80C | BZV55-C43,115.pdf | ||
B82498F3279K | 2.7nH Unshielded Wirewound Inductor 1A 30 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | B82498F3279K.pdf | ||
CRCW121057R6FKEA | RES SMD 57.6 OHM 1% 1/2W 1210 | CRCW121057R6FKEA.pdf | ||
CP00102R000JB313 | RES 2 OHM 10W 5% AXIAL | CP00102R000JB313.pdf | ||
TC1224-2.85VCT | TC1224-2.85VCT MICROCHIP SOT23-5 | TC1224-2.85VCT.pdf | ||
M5M4C64S30ATP8 | M5M4C64S30ATP8 MIT TSOP2 | M5M4C64S30ATP8.pdf | ||
DM8606AF | DM8606AF DAVICOM QFP | DM8606AF.pdf | ||
HYB25D256160CE5 | HYB25D256160CE5 INFINEON NA | HYB25D256160CE5.pdf | ||
BU4843FVE | BU4843FVE ROHM SMD or Through Hole | BU4843FVE.pdf |