창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5385/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 170V | |
허용 오차 | ±20% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 380옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 122V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5385/TR12 | |
관련 링크 | 1N5385, 1N5385/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 2N6039 | TRANS NPN DARL 80V 4A SOT-32 | 2N6039.pdf | |
![]() | DR124-821-R | 820µH Shielded Wirewound Inductor 530mA 2.351 Ohm Max Nonstandard | DR124-821-R.pdf | |
![]() | CRCW121084K5FKEA | RES SMD 84.5K OHM 1% 1/2W 1210 | CRCW121084K5FKEA.pdf | |
![]() | RT1210CRE0720R5L | RES SMD 20.5 OHM 0.25% 1/4W 1210 | RT1210CRE0720R5L.pdf | |
![]() | 4.096MHZ VCXO 5*7/ | 4.096MHZ VCXO 5*7/ FOX SMD or Through Hole | 4.096MHZ VCXO 5*7/.pdf | |
![]() | A85J | A85J N/A SOT-163 | A85J.pdf | |
![]() | 1778014 | 1778014 PHOENIX/WSI SMD or Through Hole | 1778014.pdf | |
![]() | SCI-ATL 1999(715260) | SCI-ATL 1999(715260) ST BGA | SCI-ATL 1999(715260).pdf | |
![]() | T71DOOIQ | T71DOOIQ ORIGINAL QFP | T71DOOIQ.pdf | |
![]() | LMV951MK-LF | LMV951MK-LF NS SMD or Through Hole | LMV951MK-LF.pdf | |
![]() | SAK-TC1797-512F150EBE | SAK-TC1797-512F150EBE INF BGA | SAK-TC1797-512F150EBE.pdf | |
![]() | EGLXT6234QE.B0 | EGLXT6234QE.B0 INTEL MQFP | EGLXT6234QE.B0.pdf |