창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5383CE3/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 150V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 330옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 108V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 1,250 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5383CE3/TR13 | |
관련 링크 | 1N5383CE, 1N5383CE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | LP061F35IET | 6.144MHz ±30ppm 수정 20pF 80옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP061F35IET.pdf | |
![]() | NTLJF3117PT1G | MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN | NTLJF3117PT1G.pdf | |
![]() | CAT25080VI | CAT25080VI CAT SOP8 | CAT25080VI.pdf | |
![]() | SST39V400A-70-4C-EKE | SST39V400A-70-4C-EKE SST SMD or Through Hole | SST39V400A-70-4C-EKE.pdf | |
![]() | M5A3-384/120-7YC-10YI | M5A3-384/120-7YC-10YI ATTICE QFP | M5A3-384/120-7YC-10YI.pdf | |
![]() | 1W2V4 | 1W2V4 ORIGINAL SMD DIP | 1W2V4.pdf | |
![]() | BS62LV4005EC55 | BS62LV4005EC55 BSI TSOP-32 | BS62LV4005EC55.pdf | |
![]() | S20B332X | S20B332X NIIGATA SMD or Through Hole | S20B332X.pdf | |
![]() | S-81850AMC-BHE-T2 | S-81850AMC-BHE-T2 SEIKO SOT23-5 | S-81850AMC-BHE-T2.pdf | |
![]() | BA779S-GS08 TEL:82766440 | BA779S-GS08 TEL:82766440 Vishay SMD or Through Hole | BA779S-GS08 TEL:82766440.pdf | |
![]() | A22227A | A22227A ORIGINAL SMD or Through Hole | A22227A.pdf |