창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5381B/TR8 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 130V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 190옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 93.6V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | T-18 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5381B/TR8 | |
| 관련 링크 | 1N5381, 1N5381B/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | IRFK4J350+ | IRFK4J350+ IR SMD or Through Hole | IRFK4J350+.pdf | |
![]() | D9DRV | D9DRV MT BGA | D9DRV.pdf | |
![]() | 733560280 | 733560280 MOLEX SMD or Through Hole | 733560280.pdf | |
![]() | LGT770-L1-1-0-R18 | LGT770-L1-1-0-R18 OSRAMOPTO SMD or Through Hole | LGT770-L1-1-0-R18.pdf | |
![]() | DP8409AN | DP8409AN NS DIP-48 | DP8409AN.pdf | |
![]() | HA13490MF | HA13490MF HIT QFP | HA13490MF.pdf | |
![]() | MAX4702ETE+TS | MAX4702ETE+TS MAXIM QFN | MAX4702ETE+TS.pdf | |
![]() | LLK1V682MHSB | LLK1V682MHSB NICHICON DIP | LLK1V682MHSB.pdf | |
![]() | G3VM-61G | G3VM-61G OMRON SOP4 | G3VM-61G.pdf | |
![]() | MA4S713 TEL:82766440 | MA4S713 TEL:82766440 PAN SOT-343 | MA4S713 TEL:82766440.pdf | |
![]() | K4D26323QG-VC2A | K4D26323QG-VC2A SAMSUNG BGA | K4D26323QG-VC2A.pdf | |
![]() | NJM2259M-TE1-ZZZB | NJM2259M-TE1-ZZZB n/a SMD or Through Hole | NJM2259M-TE1-ZZZB.pdf |