창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5380B/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 120V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 170옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 86.4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | T-18 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5380B/TR12 | |
| 관련 링크 | 1N5380B, 1N5380B/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | S0402-56NH2D | 56nH Unshielded Wirewound Inductor 100mA 1 Ohm Max 0402 (1005 Metric) | S0402-56NH2D.pdf | |
![]() | 9886#50 | 9886#50 AVAGO ZIP-4 | 9886#50.pdf | |
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![]() | 60-1539-1 | 60-1539-1 PHOTOSWITCH SMD or Through Hole | 60-1539-1.pdf | |
![]() | 293D156X9004S2TE3 | 293D156X9004S2TE3 VISHAY SMD or Through Hole | 293D156X9004S2TE3.pdf | |
![]() | ADM1032ARM-1 | ADM1032ARM-1 AD MSOP-8 | ADM1032ARM-1.pdf | |
![]() | 2SC1622A-T2B D17 | 2SC1622A-T2B D17 NEC SOT-23 | 2SC1622A-T2B D17.pdf | |
![]() | D25LR200R185P5 | D25LR200R185P5 Vishay SMD or Through Hole | D25LR200R185P5.pdf | |
![]() | CM-252018-180K | CM-252018-180K ORIGINAL SMD or Through Hole | CM-252018-180K.pdf | |
![]() | LM2587SADJ | LM2587SADJ NSC TO202 | LM2587SADJ.pdf | |
![]() | PS7032-221M | PS7032-221M PREMO SMD | PS7032-221M.pdf |