창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5378C/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 100V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 72V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | T-18 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5378C/TR12 | |
| 관련 링크 | 1N5378C, 1N5378C/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | MMBZ4620-G3-18 | DIODE ZENER 3.3V 350MW SOT23-3 | MMBZ4620-G3-18.pdf | |
![]() | PG0015.104NLT | 100µH Unshielded Wirewound Inductor 970mA 350 mOhm Max Nonstandard | PG0015.104NLT.pdf | |
![]() | RMCF0402FT3K00 | RES SMD 3K OHM 1% 1/16W 0402 | RMCF0402FT3K00.pdf | |
![]() | CMF605K7600FNBF | RES 5.76K OHM 1W 1% AXIAL | CMF605K7600FNBF.pdf | |
![]() | E5108AJBG | E5108AJBG ELPDA BGA | E5108AJBG.pdf | |
![]() | NL252018T-100K-N | NL252018T-100K-N YAGEO SMD | NL252018T-100K-N.pdf | |
![]() | FDB8881 | FDB8881 FAIRCHILD SMD or Through Hole | FDB8881.pdf | |
![]() | MB29DL164BE-70PFTNE1 | MB29DL164BE-70PFTNE1 FUJITSU TSOP | MB29DL164BE-70PFTNE1.pdf | |
![]() | DS90LV047ATM/DRSN | DS90LV047ATM/DRSN NATIONALSEMICONDUCTOR NSC | DS90LV047ATM/DRSN.pdf | |
![]() | XC2S400E-5FGG456I | XC2S400E-5FGG456I XILINX BGA | XC2S400E-5FGG456I.pdf | |
![]() | DS99R105SQTR | DS99R105SQTR NS SMD or Through Hole | DS99R105SQTR.pdf | |
![]() | HD64F2630UA39F | HD64F2630UA39F RENESAS QFP128 | HD64F2630UA39F.pdf |