창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5377AE3/TR13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 91V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 75옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 65.5V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | T-18 | |
| 표준 포장 | 1,250 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5377AE3/TR13 | |
| 관련 링크 | 1N5377AE, 1N5377AE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | B43821F2277M | 220µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can 670 mOhm @ 120Hz 3000 Hrs @ 85°C | B43821F2277M.pdf | |
![]() | HN27C301AG-12 | HN27C301AG-12 HITACHI CFDIPW32 | HN27C301AG-12.pdf | |
![]() | P1200P60 | P1200P60 ON DIP-8 | P1200P60.pdf | |
![]() | SSC-WH601 | SSC-WH601 ORIGINAL 3KR | SSC-WH601.pdf | |
![]() | DEF-IRF7404TRPBF | DEF-IRF7404TRPBF IR SMD or Through Hole | DEF-IRF7404TRPBF.pdf | |
![]() | ERJ3GEYJ1R0V | ERJ3GEYJ1R0V PAN RES | ERJ3GEYJ1R0V.pdf | |
![]() | STPR810 | STPR810 ST TO-220 | STPR810.pdf | |
![]() | 870919BVILF | 870919BVILF ORIGINAL SMD or Through Hole | 870919BVILF.pdf | |
![]() | M221-516 | M221-516 MIT DIP | M221-516.pdf | |
![]() | 87CH31N-3225(LG8538- | 87CH31N-3225(LG8538- TOSHIBA SMD or Through Hole | 87CH31N-3225(LG8538-.pdf | |
![]() | FH5118-BG-RE | FH5118-BG-RE FENGHUA SOT89-3 | FH5118-BG-RE.pdf | |
![]() | K4XIG163PE-FGC6 | K4XIG163PE-FGC6 SAMSUNG SMD or Through Hole | K4XIG163PE-FGC6.pdf |