창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5376E3/TR8 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 87V | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 75옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 63V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | T-18 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5376E3/TR8 | |
| 관련 링크 | 1N5376E, 1N5376E3/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | NX3225GA-10.000M-STD-CRG-1 | 10MHz ±20ppm 수정 8pF 200옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | NX3225GA-10.000M-STD-CRG-1.pdf | |
![]() | RG2012P-4640-D-T5 | RES SMD 464 OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012P-4640-D-T5.pdf | |
![]() | AT27C020-15PI | AT27C020-15PI ATMEL SMD or Through Hole | AT27C020-15PI.pdf | |
![]() | 5320A | 5320A ORIGINAL TSSOP-8 | 5320A.pdf | |
![]() | CA43-4.7μF-20V | CA43-4.7μF-20V XY SMD or Through Hole | CA43-4.7μF-20V.pdf | |
![]() | DNK1111C | DNK1111C STANLEY ROHS | DNK1111C.pdf | |
![]() | MAX1540YETL | MAX1540YETL MAXIM QFN | MAX1540YETL.pdf | |
![]() | EM48P447SBP | EM48P447SBP N/A NC | EM48P447SBP.pdf | |
![]() | DF12E(3.0)—50DP—0.5V(81) | DF12E(3.0)—50DP—0.5V(81) ORIGINAL SMD or Through Hole | DF12E(3.0)—50DP—0.5V(81).pdf | |
![]() | K4S641632E(D)-TC1H | K4S641632E(D)-TC1H SAMSUNG SMD or Through Hole | K4S641632E(D)-TC1H.pdf | |
![]() | BA0930 | BA0930 BL SOP16 | BA0930.pdf | |
![]() | GRM40X5R225K6.3D530/T85 | GRM40X5R225K6.3D530/T85 MURATA SMD or Through Hole | GRM40X5R225K6.3D530/T85.pdf |