창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5376C/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 87V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 75옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 63V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5376C/TR12 | |
관련 링크 | 1N5376C, 1N5376C/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
BFC236715184 | 0.18µF Film Capacitor 40V 63V Polyester, Metallized Radial 0.394" L x 0.157" W (10.00mm x 4.00mm) | BFC236715184.pdf | ||
AT0402CRD07536RL | RES SMD 536 OHM 0.25% 1/16W 0402 | AT0402CRD07536RL.pdf | ||
IRG4BC40WS | IRG4BC40WS IR TO-263 | IRG4BC40WS.pdf | ||
TOB615S-44C1033ZR | TOB615S-44C1033ZR ORIGINAL SMD or Through Hole | TOB615S-44C1033ZR.pdf | ||
DAC700JH | DAC700JH BB DIP | DAC700JH.pdf | ||
HV203YG | HV203YG HARVATEK ROHS | HV203YG.pdf | ||
SIL13132CUN | SIL13132CUN SILICON QFN | SIL13132CUN.pdf | ||
HD64F3028F25 | HD64F3028F25 ORIGINAL SMD or Through Hole | HD64F3028F25.pdf | ||
BS107E6288 | BS107E6288 Infineon TO-92 | BS107E6288.pdf | ||
MAX4661EAE+ (LEADFREE) | MAX4661EAE+ (LEADFREE) MAXIM SMD or Through Hole | MAX4661EAE+ (LEADFREE).pdf | ||
MAX532BCD | MAX532BCD MAXIM SMD or Through Hole | MAX532BCD.pdf | ||
50ME4R7SWN | 50ME4R7SWN SANYO DIP | 50ME4R7SWN.pdf |