창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5375C/TR8 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 82V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 64옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 59V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | T-18 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5375C/TR8 | |
| 관련 링크 | 1N5375, 1N5375C/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | CGA3E3X8R1E154M080AD | 0.15µF 25V 세라믹 커패시터 X8R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CGA3E3X8R1E154M080AD.pdf | |
![]() | 1825AC103KATBE | 10000pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 1825(4564 미터법) 0.177" L x 0.252" W(4.50mm x 6.40mm) | 1825AC103KATBE.pdf | |
![]() | SIT8008BC-23-33S-33.3333D | OSC XO 3.3V 33.3333MHZ ST | SIT8008BC-23-33S-33.3333D.pdf | |
![]() | 1N4774 | DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35 | 1N4774.pdf | |
![]() | STBV32/B | STBV32/B ORIGINAL TO-92 | STBV32/B.pdf | |
![]() | MCA1-80MH+ | MCA1-80MH+ Mini-cir SMD or Through Hole | MCA1-80MH+.pdf | |
![]() | DF13-9P-1.25(21) | DF13-9P-1.25(21) HRS 9P1.25 | DF13-9P-1.25(21).pdf | |
![]() | JTXV1N5815 | JTXV1N5815 NECON/DELCITY NULL | JTXV1N5815.pdf | |
![]() | BT9485KPJ-110 | BT9485KPJ-110 BT DIP SOP | BT9485KPJ-110.pdf | |
![]() | FGA40N120FT | FGA40N120FT FSC/ TO-3P | FGA40N120FT.pdf | |
![]() | K4D552832F-TC40 | K4D552832F-TC40 DDR SMD or Through Hole | K4D552832F-TC40.pdf |